芯聯(lián)集成接待瑞銀證券等多家機構(gòu)調(diào)研

芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（下稱“芯聯(lián)集成”）（688469.SH）是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一。公司聚焦于功率、MEMS、BCD、MCU等主要技術(shù)平臺，面向新能源、工業(yè)控制、高端消費等領(lǐng)域，提供從設(shè)計服務(wù)、晶圓制造、模組封裝、應(yīng)用驗證、可靠性測試的一站式系統(tǒng)代工方案。近期迎來多家知名券商及基金的密集調(diào)研。調(diào)研過程中，機構(gòu)們?nèi)嫔钊肓私饬?span id="jxjdgz4" class="mgc">芯聯(lián)集成的技術(shù)儲備、競爭優(yōu)勢、業(yè)務(wù)前景，對其所取得的成績給予了高度認可，并對芯聯(lián)集成所代表的新質(zhì)生產(chǎn)力持積極態(tài)度。

9月6日上午，芯聯(lián)集成再度迎來瑞銀證券等多家機構(gòu)專題調(diào)研，公司創(chuàng)始人兼總經(jīng)理趙奇，財務(wù)負責(zé)人、董事會秘書王韋等參與接待，參觀了芯聯(lián)集成12英寸產(chǎn)線，并就功率半導(dǎo)體行業(yè)趨勢、AI引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)機遇、模擬IC產(chǎn)品布局等方面進行了深入的互動討論。

此次調(diào)研中，芯聯(lián)集成趙奇介紹稱，功率半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的器件之一，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括但不限于新能源汽車、智能電網(wǎng)、光伏與儲能等。隨著這些領(lǐng)域的快速發(fā)展，對功率半導(dǎo)體的需求將持續(xù)增長，為行業(yè)帶來廣闊的市場空間。特別是在新能源汽車領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體作為汽車電子的核心，是新能源汽車中成本僅次于電池的第二大核心零部件。新能源汽車市場的增長和智能化技術(shù)的快速發(fā)展，必將帶來功率半導(dǎo)體和模擬IC產(chǎn)品的快速增長。目前國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還處在對國際先進水平進行追趕和替代的快速發(fā)展階段中，伴隨芯片國產(chǎn)化的大趨勢，未來我國功率半導(dǎo)體企業(yè)也必將占據(jù)更多市場份額。

就芯聯(lián)集成而言，碳化硅作為功率半導(dǎo)體的重要代表，上半年公司碳化硅業(yè)務(wù)繼續(xù)保持先發(fā)優(yōu)勢，應(yīng)用于汽車主驅(qū)的車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量亞洲第一。在客戶方面，持續(xù)拓展車載領(lǐng)域和工控領(lǐng)域國內(nèi)外OEM和Tier1客戶，上半年已在多家客戶實現(xiàn)量產(chǎn)，更多客戶處于定點+產(chǎn)品導(dǎo)入階段。在車規(guī)級產(chǎn)品工藝方面，SiC工藝平臺實現(xiàn)了650V到1700V系列的全面布局。在技術(shù)迭代方面，完成了平面型SiC MOSFET產(chǎn)品兩年迭代3代并實現(xiàn)量產(chǎn)；同時儲備了溝槽型SiC MOSFET產(chǎn)品的技術(shù)。在產(chǎn)線建設(shè)方面，公司8英寸碳化硅產(chǎn)線于2024年4月完成工程批下線，實現(xiàn)中國第一，全球第二通線。上半年，公司SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品收入比上年同期增長超300%、環(huán)比增長超50%。2024年，公司碳化硅產(chǎn)品預(yù)計實現(xiàn)10億元以上收入。公司目前SiC技術(shù)儲備豐富，不斷導(dǎo)入國內(nèi)外頭部客戶，幫助公司向未來占據(jù)全球30%市場份額的目標(biāo)穩(wěn)步前進。

提到AI帶來的產(chǎn)業(yè)機遇，趙奇在會議上表示，伴隨終端廠商庫存去化的逐步完成，疊加AI大模型賦能智能手機和PC的加速迭代升級，2024年上半年消費電子需求回暖，下半年供應(yīng)鏈廠商有望延續(xù)復(fù)蘇態(tài)勢。

在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用上，芯聯(lián)集成攜手芯片設(shè)計合作伙伴在電源管理芯片獲得重大定點。公司應(yīng)用于AI服務(wù)器多相電源的BCD工藝產(chǎn)品，成功量產(chǎn)；覆蓋AI服務(wù)器電源芯片的低壓大電流電源管理工藝平臺通過集成DrMOS實現(xiàn)了更高密度的電源管理方案，滿足大電流開關(guān)；智能高邊開關(guān)平臺，應(yīng)用于汽車高邊開關(guān)的智能控制保護,實現(xiàn)控制與功率器件的結(jié)合，能提供更好的電路保護和故障檢測功能。

最后，針對機構(gòu)關(guān)注的BCD等模擬領(lǐng)域的規(guī)劃，趙奇認為，芯聯(lián)集成立足于車規(guī)級BCD平臺，是國內(nèi)在該領(lǐng)域布局最完整的企業(yè)之一。公司的BCD工藝技術(shù)研發(fā)已達到國際領(lǐng)先水平。

在模擬IC芯片領(lǐng)域，公司聚焦于國內(nèi)稀缺的高性能、高功率、高可靠性BCD技術(shù)方向。上半年公司新發(fā)布四個車規(guī)級平臺，其中數(shù)?；旌锨度胧娇刂菩酒圃炱脚_填補了國內(nèi)驅(qū)動+控制集成化芯片技術(shù)的空白；高邊智能開關(guān)芯片制造平臺、高壓BCD 120V平臺對應(yīng)的技術(shù)為國內(nèi)該領(lǐng)域的稀缺技術(shù)；高壓SOI BCD平臺對應(yīng)的技術(shù)位于國內(nèi)領(lǐng)先水平。同時，公司攜手多個芯片設(shè)計客戶，獲得國內(nèi)多個車企和Tier1項目定點。

接下來，公司進一步重點發(fā)展高壓模擬集成芯片新工藝技術(shù)平臺，為廣大產(chǎn)品公司打造有競爭力的國產(chǎn)模擬集成芯片提供最優(yōu)質(zhì)的代工制造平臺。同時，公司還將不斷拓展新產(chǎn)品線，計劃于下半年推出高可靠性、高性能專用MCU平臺；也將不斷拓寬業(yè)務(wù)領(lǐng)域，全面布局高增長的AI高速服務(wù)器領(lǐng)域。

總體來看，公司已經(jīng)布局了三條核心增長曲線，以IGBT、MOSFET、MEMS為主的8英寸硅基芯片及模組產(chǎn)線的第一增長曲線延續(xù)增長勢頭，SiC MOSFET芯片及模組產(chǎn)線的第二增長曲線正大步邁進，以高壓、大功率BCD工藝為主的模擬IC方向是第三增長曲線已蓄勢待發(fā)，各增長曲線的循環(huán)協(xié)同和相互促進，疊加多個新技術(shù)平臺、新產(chǎn)品以及新客戶的導(dǎo)入，為公司進入新的高速增長期提供了強大的動力和信心。

另外，參與調(diào)研的機構(gòu)表示看好企業(yè)的發(fā)展，認為公司的核心團隊是非常優(yōu)秀的,扎根半導(dǎo)體領(lǐng)域幾十年，有很好的技術(shù)積累,未來AI的多場景推廣應(yīng)用，公司的規(guī)模效應(yīng)和技術(shù)優(yōu)勢將在產(chǎn)品端進一步放大，我們有信心并看好企業(yè)的長期發(fā)展。